ti-store logotype
Войти

F4C20120A

F4C20120A

ПроизводительFUXINSEMI
Партномер производителяF4C20120A
ОписаниеSilicon Carbide (SiC) Devices FUXINSEMI F4C20120A
Запросить

Характеристики

ПараметрЗначение
КатегорияДиоды SiC
ПроизводительFUXINSEMI
Вес2.2
Forward Voltage (Vf@If)1.5V@20A
Reverse Voltage (Vr)1.2kV
Reverse Leakage Current (Ir)35uA@1.2kV
Diode ConfigurationIndependent Type
Rectified Current (Io)54.5A