KS20120-R2

ПроизводительSGKS

Партномер производителяKS20120-R2

ОписаниеSilicon Carbide (SiC) Devices SGKS KS20120-R2

Параметр	Значение
Категория	Диоды SiC
Производитель	SGKS
Вес	1
Reverse Leakage Current (Ir)	200uA@1200V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1.2kV
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current	96A
Current - Rectified	20A
Operating Junction Temperature Range	-55℃~+175℃
Voltage - Forward(Vf@If)	1.6V@10A