MDES08N019RH
MDES08N019RH
ПроизводительMagnaChip Semicon
Партномер производителяMDES08N019RH
ОписаниеTransistors/Thyristors MagnaChip Semicon MDES08N019RH
DatasheetDatasheet
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Прочее |
| Производитель | MagnaChip Semicon |
| Вес | 1 |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 40pF |
| Pd- Power Dissipation | 300W |
| RDS(on) | 1.6mΩ@10V |
| Drain to Source Voltage | 80V |
| Current - Continuous Drain(Id) | 180A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.8V |
| Input Capacitance(Ciss) | 12.025nF |
| Output Capacitance(Coss) | 2.634nF |
| Gate Charge(Qg) | 172nC@10V |