SI4101DY-T1-GE3(ES)
SI4101DY-T1-GE3(ES)
ПроизводительElecSuper
Партномер производителяSI4101DY-T1-GE3(ES)
ОписаниеTransistors/Thyristors ElecSuper SI4101DY-T1-GE3(ES)
DatasheetDatasheet
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Прочее |
| Производитель | ElecSuper |
| Вес | 0.173 |
| Type | P-Channel |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 267pF |
| Pd- Power Dissipation | 3W |
| RDS(on) | 14mΩ@4.5V |
| Drain to Source Voltage | 30V |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12.4A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V@250uA |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.76nF |
| Output Capacitance(Coss) | 323pF |
| Gate Charge(Qg) | 35nC@10V |