PTD30N120
PTD30N120
ПроизводительHT(Shenzhen Jinyu Semicon)
Партномер производителяPTD30N120
ОписаниеTransistors/Thyristors HT(Shenzhen Jinyu Semicon) PTD30N120
DatasheetDatasheet
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Прочее |
| Производитель | HT(Shenzhen Jinyu Semicon) |
| Вес | 0.469 |
| Type | N-Channel |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 433pF |
| Pd- Power Dissipation | 115W |
| RDS(on) | 2.4mΩ@10V;4mΩ@4.5V |
| Drain to Source Voltage | 30V |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.35nF |
| Output Capacitance(Coss) | 479pF |
| Gate Charge(Qg) | 89nC@10V |