IXBT6N170
IXBT6N170
ПроизводительLittelfuse/IXYS
Партномер производителяIXBT6N170
ОписаниеTransistors/Thyristors Littelfuse/IXYS IXBT6N170
DatasheetDatasheet
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Прочее |
| Производитель | Littelfuse/IXYS |
| Вес | 5.512 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | - |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.7kV |
| Pd- Power Dissipation | 75W |
| Current - Collector(Ic) | 12A |
| IGBT Type | - |
| Reverse Recovery Time(trr) | 1.08us |
| Turn-On Energy (Eon) | - |
| Input Capacitance(Cies) | - |