BY25Q16ESSIG(R)
BY25Q16ESSIG(R)
ПроизводительBOYAMICRO
Партномер производителяBY25Q16ESSIG(R)
ОписаниеMemory BOYAMICRO BY25Q16ESSIG(R)
DatasheetDatasheet
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | Прочее |
| Производитель | BOYAMICRO |
| Вес | 0.58 |
| Operating Temperature | -40℃~+85℃ |
| Interface | SPI |
| Clock Frequency | 108MHz |
| Memory Size | 16Mbit |
| Data Retention - TDR (Year) | 20 Years |
| Voltage - Supply | 2.7V~3.6V |
| Program / Erase Cycles | 100,000 Cycles |
| Block Erase Time(tBE) | 200ms |
| Page Program time (TPP) | 160us |
| Standby Supply Current | 2.5uA |